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美光开始量产HBM3E高带宽内存
【美光开始量产HBM3E高带宽内存】美光科技2月26日宣布开始量产HBM3E高带宽内存。美光称，其HBM3E的功耗将比竞争对手的产品低30％。美光的HBM3E将应用于英伟达下一代AI芯片H200 Tensor Core GPU。 ... -
英伟达突发大消息！计划从三星采购高带宽内存芯片
【英伟达突发大消息！计划从三星采购高带宽内存芯片】英伟达计划从三星采购高带宽内存（HBM）芯片，HBM是人工智能处理器的关键组件。作为韩国电子巨头，三星试图追赶竞争对手SK海力士，后者最近开始大规模生产其下一 ... -
美光预计英伟达将在H200中使用其HBM3E高带宽内存
美光科技公司6月5日表示，其HBM3E高带宽内存将用于英伟达公司的H200芯片。美光副总裁暨计算产品事业群总经理Praveen Vaidyanathan表示，美光预计在截至2025年8月的业务年度内，其在HBM市场的份额将达到“20%左右 ...- wujiao2017
- 2024-6-5
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英特尔推出全新MRDIMM高速内存 峰值带宽提升近40%
【英特尔推出全新MRDIMM高速内存 峰值带宽提升近40%】英特尔近日发布至强6数据中心处理器率先应用MRDIMM(多路复用双列直插式内存模块)新型内存，以即插即用的方式大幅提升性能。得益于能够同时并行访问两个内存阵列 ...