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台积电开发SOT-MRAM阵列芯片 功耗仅类似技术的1%
【台积电开发SOT-MRAM阵列芯片 功耗仅类似技术的1%】台积电在次世代MRAM存储器相关技术传捷报，携手工研院开发出自旋轨道转矩磁性存储器（SOT-MRAM）阵列芯片，搭配创新的运算架构，功耗仅其他类似技术的1%。台积电 ... -
台积电开发出SOT-MRAM阵列芯片，功耗仅为类似技术的1%
台湾《经济日报》消息，台积电在次世代MRAM内存相关技术传捷报，与工研院共同开发出自旋轨道转矩磁性内存（SOT-MRAM）阵列芯片，搭配创新的运算构架，功耗仅其他类似技术的1%，为台积电抢攻AI、高效能运算（HPC ...