【台積電開発SOT-MRAMアレイチップの消費電力は類似技術の1%にすぎない】台積電は次世代MRAMメモリ関連技術で勝利報を伝え、手を携えて工業研究院はスピン軌道トルク磁性メモリ（SOT-MRAM）アレイチップを開発し、革新的な演算アーキテクチャを組み合わせ、消費電力は他の類似技術の1%にすぎない。台積電はすでに22ナノメートル、16/12ナノメートルプロセスなどの関連MRAM製品ラインの開発に成功し、メモリ、車用などの市場注文を手に入れ、MRAMのビジネスチャンスを奪った。