美光科技が財務諸表の予想を下方修正、16%超下落

寒郁轩良 · 发表于 2024-12-19 17:40:58

北京時間12月19日、美光科技（MU.O）は今年11月28日までの2025年第1財季財報を発表した。メモリに対するAIの需要は依然として強いが、消費市場の低迷などの影響で、美光科技は2025年第2四半期の業績予想を引き下げた。その後、美光科技の株価は16%超下落した。
美光科技は国際第3位の半導体メモリ会社であり、主に高性能DRAM（動的ランダムアクセスメモリ）とNAND（不揮発性メモリ）製品を提供し、携帯電話、パソコン、サーバー、AI、自動車、工業、医療などの分野で、本社は米国にある。
最新の財務報告書によると、同社は前の会計年度に87億ドルの売上高を達成し、前年同期比84%、前月比12%増加した。粗利益率は40%で、前月比は増加し、前年同期比の増加幅は大きかった。純利益は20億ドルで、前年同期比52%増加した。
製品構造を見ると、前会計年度の美光科技DRAM収入とNAND収入の比率はそれぞれ73%と26%だった。2つの品目は相前後する様相を呈し、DRAMの売上高と出荷量はいずれも増加し、NANDの売上高と出荷量はいずれも下落した。また、平均販売価格（ASP）については、DRAMは上位ビットパーセントの上昇があり、NANDは下位ビットパーセントの低下がある。この2つの財季市場の美光科技DRAMに対する重視度はNAND製品より高いことがわかる。
前会計年度の資本支出は31億ドルで、美光科技はこの会計年度の資本支出は約30億ドル、2025年度の資本支出は約140億ドルと予想している。同社によると、同会計年度の資本支出は主にHBM（高性能DRAMメモリ、AI計算用）の研究開発に投入され、工場建設、研究開発への投入などにも支援されるという。また、美光科技はNAND資本支出を削減し、製品供給を管理するためにNAND技術ノードの推進速度を慎重に制御している。
財報会では、美光科技は第1期の今期業績予想を下回り、第2期の売上高と純利益は第1期を下回る見込みだ。売上高は79億ドル（第1期は87億ドル）、希釈1株当たり利益は約1.43ドル／株（第1期は1.79ドル／株）と予想される。予想を引き下げた理由について、美光科技は、第2四半期の予想引き下げは消費者端末市場の在庫調整、季節的要因、データセンター業務が連続して多くの四半期に急速に成長した後にコールバックした影響だと説明した。
美光科技によると、最近の消費市場は依然として低迷しているが、同市場は2025年度後半から回復する見込みで、また現在の工業や自動車の市場需要も弱い。美光科技のサンジャイ・メロトラCEOは財務報告会で、「スマートフォンに対する市場の需要は依然として大きくなく、出荷量は本会計年度の中・後期に回復すると予想されている」と述べた。CFOマーク・マーフィー（Mark Murphy）氏は、「スマートフォンの顧客はまだ在庫の健康レベルを改善しており、製品供給の重点をデータセンターの顧客に向けている」と付け加えた。
消費市場が低迷する中、AIの美光テクノロジーメモリへの需要は依然として強いままだ。この四半期、データセンターの収入は初めて全体の収入の50%を超え、前年同期比400%増加した。美光科技のHBM収入は、前の会計年度よりほぼ倍増し、同時に同社はHBMが美光科技の2025会計年度に数十億ドルの収入を創出すると予想している。
美光科技は、三星電子（005930.KS）、SKハイニックス（000660.KS）と並んで世界3大メモリメーカーと呼ばれている。TrendForceによると、DRAMとNANDの2つの主要メモリ市場で、三星電子、SKハイニックス、美光科技の市場占有率はそれぞれ1位、2位、3位だった。
DRAM市場では、DRAMの中で最もホットなカテゴリーとして、HBMはAIチップによる高性能ストレージへの需要を受けて市場に愛用されている。三星電子、SKハイニックス、美光科技はそれぞれHBM 3 E（第5世代HBM製品）の12層製品を開発し、販売し、現在の分野で最も性能の強い製品となっている。3社の企業は競争が激しく、ハイニックスは先発優位を持っており、現在はリードしている。SKハイニックスは今年9月、HBM 3 E 12層製品の量産に先駆け、英偉達に量産すると発表した。市場研究機関のカウンタポイントによると、SKハイニックスは現在、HBMの市場シェアの大部分を占めている。
三星電子はこの点でライバルのSKハイニックスより遅れているが、積極的に追いかけている。これは今年9月までの第3四半期財務報告会で、HBM 3 Eが量産され販売されているが、当時はHBM 3 EがHBMの収入の10%未満を占めており、売上高は第4四半期に放量されると述べた。美光科技は今回の財報会で、HBM 3 Eはすでに複数の顧客の供給に成功し、さらに多くの市場を開拓しており、市場占有率はさらに向上する見込みだと明らかにした。
将来のHBMの価格変化について、Counterpoint氏は記者団に対し、技術の成熟と良率の向上に伴い、HBM価格は低下するが、製造コストが高く需要が旺盛で、価格の下落幅は大きくないと述べた。「短期的には、供給が需要に追いつかないため、HBM価格は高位を維持している」。
HBMはAIチップの高速記憶であり、NANDはAI計算の大容量記憶である。現在、2 D NANDは3 D NANDへと発展しており、3 D NANDはAI計算の大容量メモリとして、下流の顧客に歓迎されている。三星電子、SKハイニックス、美光科技はそれぞれ技術、製品、市場などの面でNAND分野で競争を展開している。Counterpointによると、3社のこの分野での配置にもそれぞれ差がある：サムスン電子のNAND製品ラインは最も完備しており、中低・ハイエンド製品ラインをカバーし、市場シェアがリードしている、SKハイニックスはQLC技術を含む革新的なアーキテクチャを主力とし、データセンターの応用に焦点を当てている。美光科技は高性能と高信頼性を重視し、エンタープライズストレージ市場を専攻している。

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